驰拓科技有限公司（简称驰拓科技）成立于2016年1月，是一家以新型高端存储器件及系统的研发、中试与产业化为核心的IDM半导体公司。驰拓科技的产品研发和产业化重点为MRAM（magnetic random access memory）和基于MRAM的应用系统与相关技术及产品开发。

　　MRAM是一种新型高端存储器。其特点包括纳秒级读写速度、几近无限的重写次数、掉电数据不丢失、低能耗等。MRAM在物联网、人工智能、穿戴设备、医疗卫生、工控与车载电子、存储系统、移动终端等领域有着广泛的市场和发展前景。同时，也会对未来的计算机体系结构带来颠覆性变革。

　　驰拓科技坚持以市场为导向，紧紧抓住自身产品优势和市场机遇，全力打造以新型高端存储芯片及系统为核心的新型存储器生态圈，推动微电子、纳米科技及信息存储技术的发展，为新型处理器架构创新提供器件和技术支撑。